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      碳納米管存儲結構的制造方法及半導體器件的制造方法

      分類 : 專利

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      日期 : 2022-05-11

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           本發明提供了一種碳納米管存儲結構的制造方法及半導體器件的制造方法,首先在基底上形成第一介質層,再形成暴露出第一電極的第一溝槽,再在第一溝槽中形成碳納米管和第二電極,由于沒有使用多層掩膜層及多步刻蝕工藝形成碳納米管和第二電極,避免了碳納米管的剝離和起泡的問題,提高了器件的穩定性和良率;并且,本發明提供的碳納米管存儲結構的制造方法及半導體器件的制造方法步驟少,工藝簡單、易于掌控,提高了制造器件的效率,同時也降低了制造成本。

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      愿意合作方式 創業投資
      有效截止時間 2023-05-11

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